GB/T 33236-2016多晶硅痕量元素化学辉光放电质谱法检测:深入了解与应用

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GB/T 33236-2016多晶硅痕量元素化学辉光放电质谱法检测:深入了解与应用

概述

GB/T 33236-2016 是中国国家标准,针对多晶硅中的痕量元素进行了化学分析,主要采用辉光放电质谱法(GD-MS)进行检测。这一标准在半导体、太阳能光伏等领域有着重要的应用,因为多晶硅中的痕量元素会直接影响材料的性能与质量。因此,精确检测这些元素对于确保产品质量至关重要。本标准旨在为实验室提供一致、可靠的检测方法,以满足行业对多晶硅品质控制的需求。

检测样品

根据 GB/T 33236-2016 标准,检测样品主要为多晶硅材料。这些材料通常来自太阳能光伏组件的生产过程中,要求样品纯度较高且均匀。样品的准备需要特别注意避免污染,以确保测试结果的准确性。样品形态可能为固体、块状或颗粒状,检测前需要经过适当的处理,如研磨、干燥等,以确保样品的均匀性和代表性。

检测项目

GB/T 33236-2016 规定了多晶硅中多种痕量元素的检测项目。这些元素包括但不限于:铝(Al)铁(Fe)钙(Ca)铜(Cu)锌(Zn)等。检测的目标是通过分析这些元素的浓度,评估多晶硅的质量和性能,特别是在电子和光伏应用中的影响。例如,过量的铁可能影响硅的电导率,而铜则可能导致材料的光学性能下降。

检测仪器

辉光放电质谱法(GD-MS)是一种高灵敏度的元素分析技术,广泛应用于痕量元素的检测。该方法的核心仪器包括辉光放电源和质谱仪。辉光放电源通过产生低温等离子体激发样品,释放出样品中的元素,而质谱仪则负责分析这些释放出来的元素的质荷比(m/z),从而实现痕量元素的定性和定量分析。GD-MS 的高灵敏度和高分辨率使其成为检测多晶硅中微量元素的理想工具。

检测方法

在进行辉光放电质谱检测时,首先需要将多晶硅样品切割成适当大小,然后将其放置在辉光放电源中进行激发。激发过程中,辉光放电源会生成等离子体,并将样品中的元素蒸发成气体状态。这些气体元素进入质谱仪后,根据其质荷比(m/z)进行分离与检测。通过对比已知的元素谱图,可以定量分析各元素的含量。该方法的优势在于其高灵敏度和低检测限,可以检测到极低浓度的痕量元素。

检测标准(部分)

《 GB/T 33236-2016 多晶硅 痕量元素化学分析 辉光放电质谱法 》标准简介

  • 标准名称:多晶硅 痕量元素化学分析 辉光放电质谱法
  • 标准号:GB/T 33236-2016
    中国标准分类号:G04
  • 发布日期:2016-12-13
    国际标准分类号:71.040.40
  • 实施日期:2017-11-01
    技术归口:全国微束分析标准化技术委员会
  • 代替标准:
    主管部门:国家标准化管理委员会
  • 标准分类:化工技术分析化学化学分析
  • 内容简介:

    国家标准《多晶硅 痕量元素化学分析 辉光放电质谱法》由TC38(全国微束分析标准化技术委员会)归口,TC38SC2(全国微束分析标准化技术委员会表面化学分析分会)执行,主管部门为国家标准化管理委员会。

    本标准规定了采用辉光放电质谱(GD-MS)法测量多晶硅中杂质元素的测试方法。 本标准适用于多晶硅材料中除氢和惰性气体元素以外的其他杂质元素含量的测定,测量范围是本方法的检出限至0.1%(质量分数),检出限根据所用仪器及测量条件确定。通过合适的标准样品校正,也可以测量质量分数大于0.1%的杂质元素含量。单晶硅材料中痕量杂质元素也可参照本标准测量。

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结语

GB/T 33236-2016 标准提供了一种科学、精确的方法来检测多晶硅中的痕量元素,特别是采用辉光放电质谱法(GD-MS)技术,确保了检测结果的可靠性与精确性。随着光伏技术的不断发展,精准检测多晶硅的质量已成为保证产品性能和市场竞争力的关键。这一标准的实施,不仅为相关企业提供了技术保障,也促进了整个行业的技术进步。

结语

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